今回もファイナルアンプの製作です。FETのアンプは、どうも電源電圧を上げて使った方が良さそうとの感触から、ファイナルユニット用は従来の
13.5V動作から16Vから17V動作させるための簡単なレギュレータを製作することにしました。
オリジナルの電源トランスの負荷特性を確認したところ、電流負荷を4A取りだしても18V以上の電圧を確保しています。低飽和タイプのレギュレータ
を追加して15.4Vを印加してデータを取ってみました。
写真はファイナルユニット放熱板に取り付けたレギュレーター、部品点数も少なく、小さなユニバーサル基板に組み込みました。
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回路 制御用PNPトランジスタをPch FETに置き換えた回路です。出力電流が2A程度と大きく、トランジスタの場合は多めのペース電流が必要ですが FETの場合は電圧だけで制御できますので駆動回路は簡単になります。 出力電圧はほぼツェナー電圧で決定され、図の回路では出力電圧は15.4V程度になります。 出力電流3Aまで15.4V一定な特性が得られました。 Q3は回路のON/OFF制御用で、送信時Q3ベースに電圧印加することで出力電圧ONになります。 |
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特性 図は入力dBm 対 出力W特性です。アイドリング電流はドライブ段が130mA、ファイナル段が200mA x 2に設定した場合ですがファイナル段はもう少し アイドリング電流は多めに設定した方が良さそうですが、発熱も大きくなります。アイドリング電流はFETの発熱にともなってじわじわ と増加していく傾向にありますがも熱暴走の気配はありません。放熱はケース実装時にケース本体からの放熱も期待できますが、AMモードやFM モード時には放熱不足を感じます。FETアンプの場合アイドリング電流をトランジスタに比較して多めになるのでその分放熱板のサイズはひとまわり 大きく見積もる必要があります。 もう少しパワーが出ても良さそうですが、手持ちのコアやサイズなどの制限から適当なところで妥協しました。 |