今回はファイナルアンプの製作です。今までQRP運用がメインの当局にとって5W以上のアンプは経験がありません。適当なトランジスタ
を調査しましたが、発表されているトランジスタの多くが廃品種だったり、手軽に実験して飛ばしてしまうには価格が高すぎます。
今回は比較的安価な三菱製FETを使用してみました。ゲインが高く、トランジスタアンプに比較して少ない段数で10Wまでアンプ出来そうです。 写真はオリジナルFT-220のヒートシンク部に組み込んだ50MHzファイナルアンプ。ヒートシンクや段間のシールドなどはそのまま使いましたので 苦手な板金加工をしないで済みました。 写真左のほうから、RD06HVF使用のドライバー部、中央基板はRD15HVF プッシュプルのファイナル部、右端基板はローパスフィルター部。スペースの制約から FETはヒートシンクに取り付け。基板はヒートシンクから5mm程度浮かせ、基板の下にFETを配置していますので、写真では見えていません。 |