50MHz AM/FM/USB/CWトランシーバーの製作8

'11.03.07
ファイナルアンプ部の製作
　
　今回はファイナルアンプの製作です。今までQRP運用がメインの当局にとって5W以上のアンプは経験がありません。適当なトランジスタ を調査しましたが、発表されているトランジスタの多くが廃品種だったり、手軽に実験して飛ばしてしまうには価格が高すぎます。 　今回は比較的安価な三菱製FETを使用してみました。ゲインが高く、トランジスタアンプに比較して少ない段数で10Wまでアンプ出来そうです。
　写真はオリジナルFT-220のヒートシンク部に組み込んだ50MHzファイナルアンプ。ヒートシンクや段間のシールドなどはそのまま使いましたので 苦手な板金加工をしないで済みました。
　写真左のほうから、RD06HVF使用のドライバー部、中央基板はRD15HVF プッシュプルのファイナル部、右端基板はローパスフィルター部。スペースの制約から FETはヒートシンクに取り付け。基板はヒートシンクから5mm程度浮かせ、基板の下にFETを配置していますので、写真では見えていません。
回路
　DRIVER段の入力10dbmを2段アンプ構成で40dbmまでアンプします。各段のアンプゲインは余裕があり、入力のダンピング抵抗やATTの挿入で動作安定化が できます。DRIVER段入力はマッチング回路を挿入することでゲインがアップします。出力はバイファラー巻きのインピーダンス変換により50Ωに持ち上げ ています。
　FINAL段の入力はインピーダンス安定化のための3dbATTを挿入、又ゲートには10Ωの抵抗を挿入することで動作安定を図っています。特にゲートに挿入し た抵抗の効果は大きいと感じます。実験当初、ゲートの抵抗を入れないで実験していたところ、FETを飛ばしてしまいましたが、抵抗を挿入してからはFET を飛ばすことはなくなりました。
　ファイナルアンプ部のインピーダンス変換T4は発熱がありコアを2個重ねています。通常はT4の後50ΩLPFを接続しますが、もう一段インピーダンス変換 のトランスを追加しました。
　LPFはマッチングを兼ねたT型LPFとしました。全体としてはまだマッチング改善の余地がありそうですが、電源電圧を15Vにあげることで40dbnが得られました。 　FETのアンプの場合、電源電圧を高めに使う方がパワーを取りやすいと感じます。
　詳細なデータはもう少し詰めてからアップします。
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