目標仕様
入出力インピーダンス；５０ｏｈｍ
ＧＡＩＮ；１５ｄＢ（ｔｙｐ）
周波数範囲；１−１２０ＭＨｚ以上
最大出力；＋１０ｄＢｍ以上
動作電圧；８−１４Ｖ
とします。
設計
入出力インピーダンスは５０ｏｈｍとして、マッチングはそれぞれ３ｄＢＡＴＴの挿入が確実です。
私のＳＳＧは９９ｄｂｕＥＭＦですが、このＳＳＧとの組み合わせで、０ｄＢｍは欲しい所です。ゲインは１
５ｄＢは必要で、入出力に３ｄＢＡＴＴを挿入するとして、ＡＭＰ単体では２１ｄＢのゲインは必要です。
周波数範囲は、ＳＳＧの範囲をカバーするとして、１２０ＭＨｚとしました。
最大出力としては、＋１０ｄＢｍ程度あれば、送信部の入力信号として適当なレベルです。
回路はＷＩＤＥ ＢＡＮＤ ＡＭＰのＩＣの選択で決定されます。この手のＡＭＰ用のＩＣとして、秋月電子
からもＭＲＡ−＊＊などが出ています。最初私も地元のパーツショップを探しましたが、在庫がありません
でした。
回路
組み立て
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簡単な回路ですがＧＮＤパターンが重要な為、基板を起こす必要があります。両面基板を使用し、片面は全
面ＧＮＤのベタパターンにします。ＧＮＤポイントはとても重要で、ＩＣのリードの直下から裏面ＧＮＤへ
接続します。
バイパスコンデンサーはＩＣのすぐ近くに付けます。
ケースはタカチのアルミダイキャストＨＤ９−４−３を使いました。意外に柔らかく加工はたいへん楽です
。
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結果
ＧＡＩＮ；１５．２ｄＢ（ｔｙｐ）ａｔ１０ＭＨｚ
周波数範囲；１ＭＨｚで８．６ｄｂ．３ＭＨｚで１３．５ｄｂ．５ＭＨｚ−１２０ＭＨｚ以上１５ｄｂ
最大出力；＋１０ｄＢｍ以上シンクロでの波形確認では１８ｄｂｍ程度まで実用範囲
動作電圧；８−１４Ｖ
消費電流；４０ｍＡ ａｔ１０Ｖ
周波数範囲をもう少し低い範囲まで延ばしたかったのですが、これでよしとしました。
取りあえずは目標仕様として、充分実用レベルになりました。