最近のメーカー製のＲＦ ＡＭＰは大体、
普及機．．．．ＲＦ ＡＭＰ無し、直接ミクサー回路へ接続。
中級機．．．．ゲート接地パラ増幅、又はプッシュプル増幅。
高級機．．．．ゲート接地パラプッシュプル増幅、又はトランジスター使用ＮＦＢＡＭＰ。
更に最近では、RF AMPをIP優先、ゲイン優先などの用途に応じて切り替えています。今回製作では2種類のAMPを盛り込みました。
AMP1は、IP優先の2SK125ゲート接地パラプッシュタイプ。AMP2はゲイン優先とした2SK125ソース接地のプッシュプルタイプとし、 状況に応じて選択できるようにしました。パラプッシュタイプは、以前の実験では14MHz付近からゲイン低下がありローバンド専用 でしたが、出力トランスの巻き数比を見直しました。
この構成に決定するまで、6J6パラプッシュのAMPも実験してみましたが、出力を非同調にするトランスの設計がうまくいかずあ きらめました。
両面基板を使用し、出来るだけGNDパターンを広くとります。パターンは手書きで、表と裏の接続が必要な箇所に穴を あけた後、パターンを書けば位置ずれはありません。CR類はチップタイプを使用して裏面に実装しています。
トランスはすべてFB801を利用し、入力のT1、T3は３本の線をよじって４ｔ、T2、T4はコアを２ヶならべて図のようにします。 後々の再利用を考えてテープで固定しました。巻き数の数えかたは、コアの穴に通す数を示しています。
結果
取りあえず周波数特性をとってみました。
肝心のＩＭＤ特性は、自作２ｔｏｎｅ ＯＳＣで確認してみました。ソース接地も悪くありませんが、やはりゲインのある分不利 ですが、詳細データーはあらためてｕｐします。
