Pch_MOS FET Q1,Q2のON抵抗がGate Source間の電圧で変化することを利用。Pch_FETはソース側の電位に対してゲートの 電位を低くすることで、ソースからドレインへ電流が流れます。使用したFETはソース、ゲート間の電圧(Vgs)が-3V程度でソース ドレイン間が完全にONとなりますが、Vgsが-3V以下の場合はソース、ドレイン間の抵抗は無限大から数Ω程度まで変化します。 R3のセンター電圧でGate電圧を作れば、その電圧に応じた電流が流れることになります。R3の回転角に対する電流の変化量も 自然です。
回路図／schematic
Pch_MOS FET Q1,Q2のON抵抗がGate Source間の電圧で変化することを利用。R3のセン
ター電圧でGate電圧を作れば、その電圧に応じた電流が流れます。R3の回転角に対す
る電流の変化量も自然です。
R1又はR2の両端に発生する電圧をモニターすれば、そのまま電流が判ります。たとえ
ば1Aレンジで2Vの指示なら0.2Aになります。電流計を入れてもいいのですが、分流器
を作ってスイッチで切り替えるのは大変です。
10Aレンジの抵抗は定格不足ですが、短時間の確認であれば使用できています。長時間連続通電する場合は、さらにW数の大きな抵抗に
変更する必要があります。
Pch MOS FETは10Aクラスのものなら他の物でも使えると思います。ぜひ製作してみて
ください。きっと重宝します。
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